正パワーデバイス・製造技術エンジニア＜GaN＞

大手・上場企業

募集要項

仕事内容	■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務を担当していただきます。【具体的には】・半導体プロセスおよびデバイスエンジニアの視点から、製造ラインの改善に加わって頂きます。・GaNエピタキシャル成長、ドライエッチングやスパッタリング、洗浄、CVD、フォトリソグラフィといった半導体プロセス技術、GaNパワーデバイスに関係するテスト技術などの中から、適性や経験に応じて製造技術的な課題を選定し、改善業務を担当して頂きます。 ※適性によっては次機種に向けたプロセス開発など、先駆的な技術開発も担当頂く可能性があります。 ※クリーンルーム内で半導体プロセスに関わる業務を主とします。 ※新規事業分野のため主体性とスピードが重視されますが、困った場合は周囲のサポートがあるため、経験が少なくても安心して業務に取り組んで頂くことが出来ます。
必要な経験・スキル	【必須要件】※以下のすべてを満たす方・半導体プロセスまたはデバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上) ・英語の読み書き（メールや文献を読む）レベル【歓迎要件】・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験・半導体製造装置に関する知識、経験、技能・半導体前工程における稼働率アップ、コスト削減に関する経験・ガス、薬品、装置等の安全管理に関する知識・標準化および統計的手法に関する知識・グループを率いたリーダー経験 PCスキル指定なしマネジメント経験指定なし英語スキル英会話／指定なし英文読解・作文／指定なし
学歴	専門・短大・高専・各種学校卒業以上(理系)
勤務時間	08:15 ～17:15
給与	年収/500万～900万円
勤務地	京都府
待遇	【保険】健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金【諸手当】通勤手当、住宅手当、家族手当【待遇・福利厚生】■制度：退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数 ■施設：テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
休日休暇	年間130日／（内訳）完全週休2日制（土・日）、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など
備考	東証プライム上場の半導体総合メーカーでの求人です。ベンチャースピリットに溢れた企業風土が醸成されており大変働きやすい環境があります。