求人企業名 / 富士電機株式会社
正パワー半導体デバイス開発＜IGBT、SiC-MOSFET等＞
- 大手・上場企業
募集要項
| 仕事内容 | ■同社の既存／次世代デバイス技術開発に関わる一連の業務（シミュレーション、設計、CAD、プロセスインテグレーション、評価と考察）を担当いただきます。 ※詳細に関しては面接の際にお伝えいたします。 【具体的には】 ■次世代Si-IGBTパワー半導体デバイスの開発 ■次世代SiC-MOSFETパワー半導体デバイスの開発 └T-CAD使ったシミュレーション、試作、追加の機能を載せていく。 【競合と比較した同社の強み】 産業・電装分野でSiパワー半導体の多くの実績を持ち、次世代SiCパワー半導体に置いても、積極的な事業拡大を行っております。 【やりがい・魅力】 ・海外競合との競争が激しい中で、パワー半導体業界トップ級の性能を担うチャレンジングな開発業務を担当できる →同社のなかでも再注力分野の1つのため、潤沢な投資のもと世界トップを目指したチャレンジが可能です。 |
|---|---|
| 必要な経験・スキル | 【必須要件】 PCスキル マネジメント経験 英語スキル |
| 学歴 | 大学卒業以上(理系) |
| 勤務時間 | 09:00 ～17:45 |
| 給与 |
年収/500万～900万円
※【モデル年収】49歳 956万円 |
| 勤務地 | 長野県 |
| 待遇 | 【保険】健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 【諸手当】時間外手当、通勤手当 【待遇・福利厚生】寮、社宅、財形貯蓄制度（401K）、社員持株制度、保養所、休職制度（育児、介護）、就業時間短縮制度（育児、介護）、リフレッシュ支援制度、企業年金、共済会（加入必須（個人負担あり））、各種体育施設、診療所 など |
| 休日休暇 | 年間124日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年間124日(2022年度実績）、夏期休暇、年末年始休暇、有給休暇、慶弔休暇、 |
| 備考 | 大手電機メーカーの中でも発電した電気を「制御する」設備に強みを持つ企業です。元々のパワエレと制御の技術を元に、パワー半導体事業に強みをもっています。日系完成車メーカーはもちろん海外完成車メーカーにも、「品質力」ならびに「機種別のきめ細やかな対応」により入り込みができており、マーケット評価も高い企業です。残業は月約20時間とワークライフバランスも良好です。気になる方はお気軽にお声掛けください。 |
求人企業情報
| 社名 | 富士電機株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 1923年8月 |
| 従業員数 | 26757人 |
| 資本・株式 | 国内資本 東証プライム |
| 会社概要 | ■電気機器の開発・製造・販売・サービス ＜沿革＞ 1923年 日本の「古河電気工業」と、ドイツの「シーメンス社」との資本・技術提携により設立 1924年 同社川崎工場操業開始 1955年 火力発電事業へ本格的に進出「シーメンス社」と蒸気タービン製造技術の導入契約 1996年 鉄道車両用IGBT主変換装置を受注（世界初の大容量平型IGBT） 2010年 単機容量世界最大140MW地熱発電所運転開始（ニュージランド「ナ・アワ・プルワ地熱発電所」） 2016年 パワエレテクニカルセンター（鈴鹿地区）完成 2010年 離島にマイクログリッドシステムを納入し、実証実験に参加 2012年 国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発 2016年 パワエレテクニカルセンター（鈴鹿地区）完成 |
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