求人企業名 / 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
正研究開発＜パワー半導体デバイス（SiC）＞
- 大手・上場企業
募集要項
| 仕事内容 | ■SiCデバイス(MOSFET/Diode)技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所(伊丹/福岡/熊本)への報告も実施していただきます。 【具体的には】 ・SiC結晶品質向上(基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発) ・SiC-MOSFETの信頼性検証 ・パワーモジュールの耐環境信頼性検証 ＜補足＞ ・いずれも単独ではなくチームでの職務となります。同課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。 ・パワーデバイス製作所(伊丹市/福岡市/熊本県合志市)への報告や折衝も担当していただきます。 ・開発技術の社外発表(国際学会)も担当していただく場合があります。 【業務の魅力】 ・研究や技術開発が主の業務となりますが、パワーデバイス製作所をはじめとした製品を扱う事業所とも深く関わりながら業務を遂行します。 ・数年かけて開発した技術を世界に向けて発表することや、製作所と協力しながら製品化への課題を解決していくことは大きなやりがいを感じることができます。 |
|---|---|
| 必要な経験・スキル | 【必須要件】 PCスキル マネジメント経験 英語スキル |
| 学歴 | 大学院卒業以上(理系) |
| 勤務時間 | 08:30 ～17:00 |
| 給与 | 年収/400万～1000万円 |
| 勤務地 | 兵庫県 |
| 待遇 | 【保険】健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 【諸手当】時間外手当、扶養手当、外勤手当、通勤費補助など 【待遇・福利厚生】寮、社宅、家賃補助手当、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設 、スポーツ施設など |
| 休日休暇 | 年間126日／（内訳）週休2日制（土日）、国民の祝日、労働祭、年末年始、会社創立記念日、規定休など |
| 備考 | 入社後は当面の間前述の業務を担当していただきます。数年後の状況を見てチームリーダーとして活躍いただくことを想定していますが、本人の希望を踏まえた柔軟な対応が可能です。 |
求人企業情報
| 社名 | 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 |
|---|---|
| 設立 | 1921年1月 |
| 資本・株式 | 国内資本 株式上場 |
| 会社概要 | ■パワーエレクトロニクス、電気・機械、メカトロニクス、環境・エネルギー・材料、デバイス、システム技術分野の研究開発 ＜沿革＞ 1921年 三菱電機（株）設立 1935年 現研究所の母体となる神戸本店研究課設立 1937年 東京株式取引所に株式上場 1979年 1兆円企業に到達（売上げ1兆754億円） 1989年 2兆円企業に到達（売上げ2兆2,301億円） 1995年 中央研究所、材料デバイス研究所、半導体基礎研究所を統合し、先端技術総合研究所を設立 2002年 産業システム研究所と映像情報開発センターを統合 2022年 東証プライムに上場区分を変更 |
この他に、人材紹介会社には一般には公開しない非公開求人が数多くあります。
非公開な求人を受け取る方法はこちら
職種別！職務経歴書の書き方/解説＆ダウンロード
「自動車設計（内装素材関連の研究・開発）」
自動車業界の開発職は、在籍企業、担当製品、参加プロジェクトにより業務内容が異なります。 基本的には、機械・電気・ソフトなど各エンジニアが役割分担をして、1製品の開発を進めるので、自分の役割を明確に記載することでPRに繋がります。
