SiC パワー半導体の開発エンジニアの求人・転職情報詳細(求人コード:TKB0006A)

の中の の中の の中の の中の

求人企業名 / 非公開

SiC パワー半導体の開発エンジニア

  • 外資系企業
  • ベンチャー企業
  • エグゼクティブ
  • シニア層

募集要項

仕事内容 台湾のベンチャーがサーバー用のファブレスPower Device & Module開発を計画し、京都に研究開発拠点の設立をしました。
香港・アメリカなどのユーザーからの開発依頼を受け研究開発拠点の整備を行い、大学や産業界と共同で新技術の研究開発に従事して頂きます。
必要な経験・スキル

Wide-band-Gap Semiconductor Device & Module 研究開発の経験者、もしくは製品設計、製造プロセスの経験がある方。
1.Wide-band-Gap Semiconductor Device Designの経験がある方
2.Synopsis Sentaurus Device Simulation toolの使用経験がある方
3.Wide-band-Gap Semiconductor Module Designの経験がある方。

<言語>
・英語もしくは中国語での意思疎通が可能な方

PCスキル
指定なし

マネジメント経験
指定なし

英語スキル
英会話/中級(ビジネス会話)
英文読解・作文/中級(長文読解)

学歴 大学卒業以上(文理不問)
年齢制限 30歳~50歳位まで
(年齢制限理由:技能・ノウハウ等の継承の観点から、特定の職種において労働者数が相当程度少ない特定の年齢層に限定して募集・採用する場合)
勤務時間 09:00 ~17:00
給与 年収/850万~1500万円
勤務地 京都市
待遇 社会保険完備
休日休暇 土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

求人企業情報

社名 非公開
従業員数 10人
資本・株式 外国資本  株式非上場
会社概要 ファブレスのSiCパワーデバイスデザインハウス

台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

この他に、人材紹介会社には一般には公開しない非公開求人が数多くあります。
非公開な求人を受け取る方法はこちら⇒

この求人をみた人はこちらの求人も見てます

履歴書・職歴書画像

職種別!職務経歴書の書き方/解説&ダウンロード

「自動車設計(内装素材関連の研究・開発)」word

自動車業界の開発職は、在籍企業、担当製品、参加プロジェクトにより業務内容が異なります。 基本的には、機械・電気・ソフトなど各エンジニアが役割分担をして、1製品の開発を進めるので、自分の役割を明確に記載することでPRに繋がります。

企業マッチ度診断サービス

この求人を担当する人材紹介会社

キャリア・ネットワーク株式会社 本社

職業紹介事業:13-ユ-100016

所在地
東京都 千代田区飯田橋4-9-5スギタビル3階地図

保有する求人情報

【保有求人の内訳グラフ】

サポートした転職事例

最近みた求人情報

掲載求人情報に関するトラブルはこちら

の中の の中の の中の の中の